超低静态电流：0.8μA（VIN=12V）
关断电流：0.01uA
输入范围：2.8V-20V
输出范围：1.8V-5V（间隔0.1V）
高精度：±2%
最大输出电流：500mA
使能控制
输出放电
输出短路保护
过热保护
超低静态电流: 2.5μA
低压差：50mV @ IOUT = 100mA @ VOUT =3.3V
最大输出电流：1A
输入电压范围：最大12V
静态电流：2.5μA
输出电流：0.3A
输出电压精度偏差：±2%
输出电压：1.8/2.8/3.0/3.3/3.6/4.0/5.0V
具有输出短路保护功能、过热保护功能
输出电流：0.15A
低压差：80mV @ IOUT = 100mA, VOUT =5V
最大输出电流：300mA
输入电压范围：最大20V
超低静态电流：1.2μA
低压差：200mV@IOUT=100mA，VOUT =3.3V
输入电压范围：最大36V
工作电压（范围）:2.9~30V
静态电流：1.2μA
输出电流：0.5A
输出电压：2.8/3.0/3.3/3.6/4.0/5.0/5.6/12.0V
工作电压（范围）:1.5~6V
静态电流：0.6μA
输出电压：1.8/2.8/3.0/3.3/3.6V
超低静态电流：600nA
待机电流：≤10nA
低压差：60mV @ IOUT = 100mA @ VOUT = 3.3V
输入电压范围：最大6.0V
折返限流保护
宽输入交流范围：90Vac~265Vac
输出功率：3~5W
高达70KHz的工作频率
优良的系统ESD性能
可调输出线性补偿(3%~8%)
可调输入线性补偿
高效率准谐振工作模式
内置短路保护和输出过压保护
内置过温保护
CV/CC调节误差±5%
无需光耦和所有次级CV/CC控制电路
准谐振工作模式
内置线路补偿，用于更精确的CC调节
内置前沿消隐(LEB)
逐周期电流限制
具有迟滞的VCC欠压锁定(UVLO)
输出功率可达15W
输出功率可达30W
内置900V功率MOSFET
内置高压启动电路
内置线电压补偿和斜坡补偿
集成频率扩展技术
PWM/PFM/PSM 混合控制方式
空载功耗＜50mW@230VAC
完善的保护功能（OCP、OLP、UVLO、VDD OVP、OTP）
频率倍增功能改善磁场干扰（仅B版本有此功能）
PWM/PFM/Burst混合控制方式
空载功耗<50mW@230VAC
完善的保护功能（OCP、OLP、UVLO、VDD_OVP、OTP）
效率可达95%
200mV±3%反馈基准电压
1MHz固定工作频率
最大输出电压为25V
轻负载时的省电PFM模式
软启动限制输出过冲和浪涌电流
3.5A逐周期电流限制保护
OVP保护
过热关断
高集成度，外围简单，用于隔离变压器的推挽式驱动器
最大输出功率：3W
4-24V 输入电压范围
可调开关频率：200KHz-2MHz，可选用小尺寸变压器
占空比可调：最大50%
过流保护
集成2路降压，1路升压，1路超级电容充电器，实现小尺寸解决方案
固定输出降压转换器：3.3V/500mA
可调输出降压转换器：1V-5V输出范围
升压转换器：12V/300mA
超级电容充电器：2.5V/60mA
轻载高效的PSM模式
电源系统掉电检测与指示
掉电时自动切换到备用电源供电
打嗝模式的OCP保护
热关断
低功耗,静态电流<1uA
高检测精度
有效滤除电力线噪声
集成整流二极管
集成稳压二极管
外围器件少
宽功率范围：2.7~6V
低MOSFET导通电阻：Rhs=0.3Ω, Rls =0.15Ω
正向，反向，惯性或制动输出模式
适用于广泛的MCU控制逻辑
输入逻辑迟滞
宽功率范围：2.5~6V
峰值限流保护：2.5A
低MOSFET导通电阻：Rhs=0.3Ω，Rls =0.15Ω
热关断以及过流保护
过流保护点2.5A
0.8A最大连续输出
高于3A的峰值电流能力
低MOSFET导通电阻：Rhs =0.6Ω，Rls =0.3Ω
宽功率范围：4V至24V
峰值限流保护：3.5A
低MOSFET导通电阻：Rhs =0.4Ω，Rls =0.2Ω
过流、过热关断
低MOSFET导通电阻：Rhs=0.4Ω，Rls=0.2Ω
3.5–40V的工作电压
峰值限流保护: 800mA
环境温度范围-40 ~ +105°C
兼容各类单片机逻辑输入信号
输入信号防噪声处理
电感性负载电流的反冲保护
有过温、过流保护电路，提高芯片可靠性
5–36V的工作电压
最大工作电流:450mA
工作温度范围-40~+105°C
兼容各类单片机逻辑电平信号输入信号
工作电压：6V至28V
大信号带宽：> 20MHz
3次谐波抑制：> 40dBc @ 10M / 10Vpp / 50Ω负载> 50dBc @ 5M / 10Vpp / 50Ω负载> 60dBc @ 2M / 10Vpp / 50Ω负载> 76dBc @ 500K / 10Vpp / 50Ω负载
2次谐波抑制：> 55dBc @ 10M /10Vpp / 50Ω负载> 60dBc @ 5M / 10Vpp / 50Ω负载> 70dBc @ 2M / 10Vpp / 50Ω负载> 80dBc @ 500K / 10 Vpp /50Ω负载
工作电流外部设定，可数字控制
压摆率：500V/μs
最大差分输出：2倍工作电压-6V@50Ω负载
TTL / CMOS兼容
温度范围-40°C to +85°C
2次谐波抑制：> 55dBc @ 10M / 10Vpp / 50Ω负载> 60dBc @ 5M / 10Vpp / 50Ω负载> 70dBc @ 2M / 10Vpp / 50Ω负载> 80dBc @ 500K / 10 Vpp /50Ω负载
压摆率：500 V/μs
固定的1/4占空比，1/3偏压模式，最多160点
低功耗设计，典型条件下电流为6uA
内置OSC电路
内部LCD对比度控制电路
集成上电复位电路
无需外部组件
I2C接口
与TTL/CMOS兼容
高EMC抗扰度
固定的 1/4 Bias，1/8 Duty
35*8=280Bit，内置Buffer AMP
内置复位、震荡电路
接口：2线串行接口
内置 EVR 电路
低功耗设计，典型情况下电流为5uA
兼容TTL/CMOS
固定的1/4占空比模式，最多192点
接口：2线串口I2C
固定的1/4占空比模式，最多384点
与TTL / CMOS兼容
CPU最高频率可达200MHz
频率动态切换，有效降低功耗
内置加解密引擎
支持JATG在线调试
支持全局可屏蔽中断
内置1.5M SRAM
支持SPI，支持CPU从SPI口BOOT
支持UART以及调试功能
支持通用GPIO功能
支持32位计数器（定时器）功能
以太网芯片PHY，配有MDIO和RMII端口
支持DMA功能
配有硬件看门狗
一次性写入eFuse功能
国家电网双模(有线-无线)通信协议
静电保护（ESD）：A/B±15KV--人体模式（HBM）
总线允许挂接多达256个收发器
强大摆率限制有助于实现无差错数据传输
三态输出
SOP8封装
符合Q/GDW11179.11-2015电能表元器件技术规范
静电保护（ESD）： A/B ±15KV--人体模式（HBM）
总线允许挂接多达 256 个收发器
SOP8 封装
符合 Q/GDW 11179.11-2015 电能表用元器件技术规范
3.3V/5V 电源电压
增强摆率限制有助于降低输出EMI以及不匹配的终端连接引起的反射，实现500kbps的无误码数据传输
通信端口提供±15kV人体模式ESD保护
Fail-safe功能
具有1/8单位负载，多达256个收发器可挂接在同一总线上
采用8脚SO封装
芯片特点
典型应用
订货信息
产品编号
封装
数量/编带
CN8501MXXXOGR
SOT89-3
1000/盘
CN8501MXXXAOGR
CN8501MXXXTCR
SOT23-5
3000/盘
CN8501MXXXTGR
SOT23-3
CN8501MXXXTCRA
025-58270802
021-61090382
中文/英文 
典型应用
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